英特爾衝先進封裝 較勁台積
英特爾持續在大馬檳城擴廠，圖為其位於檳城的既有廠區。特派記者鐘惠玲╱攝影
英特爾積極投入先進製程研發之際，在先進封裝領域同步火力全開，正於馬來西亞檳城興建最新封裝廠，強化2.5D／3D封裝布局版圖，22日更喊出2025年時，旗下最先進的3D Foveros封裝產能將較目前大增四倍，同時開放讓客戶也可以只選用其先進封裝方案。
外界預期，英特爾結合先進製程與先進封裝能量後，「一條龍生產」實力大增，在晶圓代工領域更具競爭力，與台積電、三星等勁敵再次槓上，未來三雄在晶圓代工市占率版圖之爭將更有看頭。
同時，英特爾自家先進封裝能力更壯大，並喊話開放讓客戶只選用其先進封裝方案後，預料也會掀起封測市場騷動，須密切關注對日月光、艾克爾等專業半導體封測廠的衝擊。
台積電、三星都積極布建先進封裝技術。台積電方面，主打「3D Fabric」先進封裝，包括InFo、CoWoS與SoIC方案；三星也發展I-cube、X-Cube等封裝技術。
英特爾不落人後，其先進封裝包括2.5D EMIB與3D Foveros方案。半導體三雄的競爭態勢從晶圓代工領域，一路延伸至先進封裝。
英特爾從2017年開始導入EMIB封裝，第一代Foveros封裝則於2019年推出，當時凸點間距為50微米。預計今年下半年稍晚推出的最新Meteor Lake處理器，則將利用第二代Foveros封裝技術，凸點間距進一步縮小為36微米。
英特爾並未透露現階段其3D Foveros封裝總產能，僅強調除了在美國奧勒岡州與新墨西哥州之外，在未來的檳城新廠也有相關產能建置，這三個據點的3D封裝產能合計將於2025年時增為目前的四倍。
英特爾副總裁Robin Martin 22日受訪時強調，未來檳城新廠將會成為英特爾最大的3D Foveros先進封裝據點。
英特爾二年前宣布投資35億美元擴充新墨西哥州的先進封裝產能，至今仍進行中。至於檳城新廠，該公司表示，興建進度符合計畫，外界推估，該新廠可能於2024年稍晚或2025年完工運作。
值得注意的是，除了晶圓代工與一條龍延伸到封裝服務，英特爾表示，開放讓客戶也可以只選用其先進封裝方案，目的是希望讓客戶可以更能擁有生產彈性。
英特爾在執行長基辛格帶領下，推行IDM 2.0策略，除了增加自家晶圓廠產能，擴大晶圓代工業務，同時也希望彈性利用第三方的晶圓代工產能。
隨著先進製程演進，小晶片（Chiplet）與異質整合的發展趨勢明確，外界認為，英特爾的2.5D／3D先進封裝布局除了強化自身處理器等產品實力之外，也是其未來對客戶爭取更多晶圓代工服務生意的一大賣點。
